特許
J-GLOBAL ID：200903089741699164

不良救済用メモリセル及びそれを用いた記憶装置

発明者：
中村 富浩

中村 富浩 について


出願人/特許権者：
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149592
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 ECCを使用した場合でも、より少ない冗長セルで構成することができる不良救済用メモリセルを提供する。【解決手段】 多値メモリにおいてはECCを使用すると、各セルの最下位のビットデータ(8ビット)には不良の有無/不良位置情報を冗長メモリセル(4ビット)を持たせ、上位のビットデータ(最下位のビットデータ以外のビットデータ)(8ビット)には不良の有無のみを冗長メモリセル(1ビット)に持たせている。その際、上位の冗長メモリセルは1ビットのみでよいため、上位の冗長メモリセルに最下位の不良の有無/不良位置情報を格納させることで、冗長メモリセルとしては3ビットで済む。
請求項（抜粋）：
1個のメモリセルに複数のビットデータを記憶しかつ冗長セルに格納したデータを用いて不良ビットの訂正を行う不良救済用メモリセルであって、不良があるセルにおいて少なくとも予め設定された特定ビットに不良がある場合に救済範囲を限定するよう構成したことを特徴とする不良救済用メモリセル。
IPC (5件)：
G11C 29/00 631 ,  G11C 17/00 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (5件)：
G11C 29/00 631 Z ,  G11C 17/00 E ,  G11C 17/00 305 ,  G11C 17/00 639 C ,  G11C 17/00 641
Fターム (11件)：
5B003AB04 ,  5B003AC07 ,  5B003AD04 ,  5B003AE01 ,  5B025AA00 ,  5B025AD13 ,  5B025AE08 ,  5L106AA00 ,  5L106BB02 ,  5L106BB12 ,  5L106FF05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
  • 特開平3-179922
  • メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081269   出願人：ソニー株式会社

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