特許

J-GLOBAL ID：200903089744702816

誘電体膜の製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195276
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040558
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 誘電体膜中に金属微粒子を混合し、その金属微粒子を選択的にエッチング除去することで低誘電率な膜を形成する方法では、金属微粒子が膜中に残り、それが配線間の短絡の原因となって歩留りを低下させていた。【解決手段】 水分を発生しうる材料(例えば水素化ヒドロキシシルセスキオキサンまたはヒドロキシシラザン)と、発生した水分と反応してガスを発生しうる添加剤(例えばイソシアネート基を含む物質)とからなる塗布剤を基板10上に塗布して塗膜14を形成する。その後、例えば熱処理を行うことによって、塗膜14から水分を発生させ、その発生した水分と添加剤との反応によって塗膜14からガスを発生させることで、塗膜14中に微細な空孔15を形成し、低い誘電率(3.2〜3.5)を有する誘電体膜16を形成する。

請求項（抜粋）：

水分を発生しうる材料と該水分と反応してガスを発生しうる添加剤とからなる塗布剤を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜から水分を発生させる工程と、前記発生した水分と前記添加剤との反応によってガスを発生させる工程とを備えたことを特徴とする誘電体膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 J