特許

J-GLOBAL ID：200903089750088372

ドライエッチング方法

発明者： 中谷 功
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055687
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253881
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【構成】 アンモニア(NH3 )またはアミン類ガス等の含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素(CO)ガスを反応ガスとして用いるドライエッチング法。【効果】 従来、困難であった遷移金属元素を主成分とする磁性材料に対する反応性イオンエッチングが可能となり、磁性合金の微細加工が実現できる。また、将来実現される量子効果磁気素子の作製も可能となる。さらに、エッチング速さが大きいことから、磁性材料の微細加工プロセスに要する時間が短縮され、生産効率の向上が可能となる。さらにまた、遷移金属のみが選択的にエッチングされるという性質があるので、マスク材料の限定条件が少なくなり、微細加工プロセスの構成において融通性がよくなる。

請求項（抜粋）：

含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとして金属または合金の表面をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

C23F 4/00 ,  G11B 5/39 ,  C22C 38/00 303 ,  G11B 5/33

FI (5件)：

C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 C ,  G11B 5/39 ,  C22C 38/00 303 Z ,  G11B 5/33