特許

J-GLOBAL ID：200903089751719910

発光ダイオード

発明者： チーピン・クオ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-019586
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264833
出願日： 1996年02月06日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】高効率発光窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム化合物半導体デバイス。【解決手段】サファイア基板14上に窒化インジウム・ガリウム化合物から構成され、第1の格子定数と第1のインジウム含有量とを有するバッファ層12を形成し、さらにその上に窒化ガリウム・インジウム・アルミニウム化合物から構成され、第2の格子定数と第2のインジウム含有量とを有する上部層を形成する。第1の格子定数と第2の格子定数の差は0.5%以内であり、発光ダイオードに用いられる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、窒化インジウム・ガリウム化合物から構成され、第1の格子定数と第1のインジウム含有量とを有する、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、窒化ガリウム・インジウム・アルミニウム化合物から構成され、第2の格子定数と第2のインジウム含有量とを有する、前記バッファ層上の上部層とを有し、第1の格子定数と第2の格子定数の差が0.5%以内であることを特徴とする、発光ダイオード。