特許
J-GLOBAL ID:200903089751786278

高周波利得可変増幅回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 緒方 保人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-166346
公開番号(公開出願番号):特開平11-346131
出願日: 1998年05月29日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 低消費電流で動作させ、また可変利得時でも入出力反射特性の劣化が小さくなり、可変利得幅を広げた場合でも安定した動作を確保する。【解決手段】 入力端子T1側の第1のFET1と出力端子T2側の第2のFET2を電源端子T3から接地電位を見て、この電源電流を直列に共有するように接続し、低電流での動作を可能とする。また、上記第1と第2のFET1,2間に、可変抵抗機能を持たせた第3のFET3及び抵抗29を配置し、かつこの第2のFET2のソース・接地電位間に高周波的接地のための容量32を接続する。これにより、利得可変時の出力反射性の劣化を抑制する。更に、信号減衰器の機能を有する第4のFET4をバイアス抵抗33〜35と共に設け、総合利得可変特性の傾斜の直線性を改善する。
請求項(抜粋):
高周波信号をゲート電極に入力する第1のトランジスタと、当該高周波信号をドレイン電極から出力する第2のトランジスタと、上記第1のトランジスタのドレイン電極と上記第2のトランジスタのソース電極との間に接続され、上記電極間の高周波的なアイソレーションを大きくするためのインダクタ素子又は抵抗素子と、上記第2のトランジスタのソース電極での高周波的なインピーダンスを低くする容量素子と、を含み、上記第1及び第2のトランジスタが電源からの電流を直列に共有する構成とし、上記第2のトランジスタの高周波的な出力インピーダンスを変えずに上記第1及び第2のトランジスタで得られる利得を変化させる可変抵抗素子として、第3のトランジスタ及びこの第3のトランジスタのドレイン・ソース電極間に配置した抵抗素子を、上記第1と第2のトランジスタ間の上記インダクタ素子又は抵抗素子に対し直列に接続したことを特徴とする高周波利得可変増幅回路。
IPC (2件):
H03G 3/10 ,  H03F 3/193
FI (2件):
H03G 3/10 A ,  H03F 3/193

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