特許
J-GLOBAL ID：200903089755384816
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097531
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【構成】 絶縁性の基板上に第1の磁性体層が形成され、その上にN型の第1の半導体層が形成されている。またこの第1の半導体層上の所定の領域にはP型の第2の半導体層及び第2の磁性体層がこの順序で積層形成されている。さらにこの第2の半導体層が形成されている領域に近接した領域にP型の第4の半導体層が形成されている。さてこのような構造で、第1の半導体層をベース(B)とし、第2の半導体層をエミッタ(E)とし、第4の半導体層をコレクタ(C)とし、第1の磁性体層ベース電極とし、第2の磁性体層をエミッタ電極とする。この構成でB-E間にバイアス電流を流した状態で外部磁界を変化させると、B-C間の電流が磁界に応じて変化する。【効果】 高感度、高出力の新規な磁気抵抗効果素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
第1の磁性体層と、第2の磁性体層とが、P型若しくはN型の半導体層を介して接合された構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/06
, G11B 5/39
, H01F 1/00
