磁気抵抗効果素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097531
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【構成】絶縁性の基板上に第1の磁性体層が形成され、その上にN型の第1の半導体層が形成されている。またこの第1の半導体層上の所定の領域にはP型の第2の半導体層及び第2の磁性体層がこの順序で積層形成されている。さらにこの第2の半導体層が形成されている領域に近接した領域にP型の第4の半導体層が形成されている。さてこのような構造で、第1の半導体層をベース(B)とし、第2の半導体層をエミッタ(E)とし、第4の半導体層をコレクタ(C)とし、第1の磁性体層ベース電極とし、第2の磁性体層をエミッタ電極とする。この構成でB-E間にバイアス電流を流した状態で外部磁界を変化させると、B-C間の電流が磁界に応じて変化する。【効果】高感度、高出力の新規な磁気抵抗効果素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：