特許

J-GLOBAL ID：200903089758028697

半導体基板の製造方法

発明者： 阿部 孝夫 ,  中里 泰章 ,  内山 敦雄
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081218
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130590
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 ウエーハ同士の貼着により半導体基板を形成した場合でも熱膨張率に起因する熱損傷が生じることがなく、各種集積回路若しくはTFTーLCD等を形成し得るだけの充分に薄く結晶性の良好で薄膜なシリコン層を得る。【構成】 熱膨張係数の異なる2枚の各ウェーハを相互に貼着接合して形成される半導体基板の製造方法において、 少なくとも研磨かつ清浄化させた各ウェーハの接合面を相互に圧着させた状態で、第1の温度域で熱処理して仮接合基板とする工程と、前記仮接合基板の少なくとも一方のウェーハ面を化学的処理によって薄層化させた後、前記第1の温度域よりも高い第2の温度域で熱処理して仮接合基板のまゝ保持させるか、あるいは本接合基板とする工程を含む事を特徴とする半導体基板の製造方法

請求項（抜粋）：

熱膨張係数の異なる2枚の各ウェーハを相互に貼着接合して形成される半導体基板の製造方法において、少なくとも研磨かつ清浄化させた各ウェーハの接合面を相互に圧着させた状態で、第1の温度域で熱処理して仮接合基板とする工程と、前記仮接合基板の少なくとも一方のウェーハ面を化学的処理によって薄層化させた後、前記第1の温度域よりも高い第2の温度域で熱処理して仮接合基板のまゝ保持させるか、あるいは本接合基板とする工程を含む事を特徴とする半導体基板の製造方法

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-097215