特許

J-GLOBAL ID：200903089761263974

積層配線のドライエッチング方法

発明者： 秋庭 波里
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056165
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263426
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 Al層上にW層が形成された、マイグレーション耐性に優れた積層配線を、スループット低下や汚染の発生なく異方性エッチングする。【構成】 W等の高融点金属層4をイオウまたはポリチアジルの側壁保護膜7を形成しながらパターニング後、Al系金属層3を同一装置内で連続的にエッチングする。【効果】 側壁保護膜の効果により、特別の基板冷却を用いることなしにF* によるサイドエッチングを防止できる。続けて基板温度を切り替えることなしにAl系金属層をエッチングするので、エッチングレートの確保ができる。エッチング終了後は側壁保護膜は昇華除去できるので、パーティクル汚染の虞れがない。エッチングレートのパターン密度依存性もなく均一にエッチングできる。

請求項（抜粋）：

Al系金属層上に高融点金属層が形成された構造を含む積層配線をパターニングするドライエッチング方法において、パターンの側面にイオウ層を形成しながら前記高融点金属層をエッチング後、連続的にAl系金属層をエッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N