特許

J-GLOBAL ID：200903089765583078

有機薄膜電界効果トランジスター

発明者： 星野 聰 ,  鎌田 俊英 ,  八瀬 清志
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234920
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079623
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】高い性能を示し、かつソース電極-ドレイン電極間に流れるOFF電流の少ない低消費電力の有機薄膜電界効果トランジスターを提供すること。【解決手段】少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体薄膜を含む有機薄膜電界効果トランジスターにおいて、ゲート絶縁膜の上に配置される有機半導体薄膜の表面上に配置されていた前記ソース電極、ドレイン電極を有機半導体薄膜内中央に配置することで、電界効果トランジスター特性を維持しつつ、OFF電流が抑制された高性能のトランジスターを提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体薄膜を含む有機薄膜電界効果トランジスターであって、ゲート絶縁膜上に配置される有機半導体薄膜内中央に前記ソース電極、ドレイン電極を配置したことを特徴とする有機薄膜電界効果トランジスター。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/28

Fターム (18件)：

5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機電界効果型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205286   出願人：株式会社東芝