特許
J-GLOBAL ID：200903089767761291
電界効果型トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082887
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279616
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 大面積アクティブマトリクス型表示装置の画素駆動素子として利用する際に有利となるような、実効的なチャネル幅が飛躍的に高く動作電流の大きな電界効果型トランジスタを小サイズしかも安価に提供することを目的とする。【構成】 ソース電極4と、ドレイン電極5と、該ソース電極とドレイン電極を結ぶ直線と平行に配置された少なくとも一つの線状弁作用金属からなるゲート電極1と、該ゲート電極表面に形成された酸化皮膜2と、該酸化皮膜に密着して形成された半導体層3とを具備する電界効果型トランジスタである。ここで半導体層としてはπ-共役系重合体組成物を用いることが好ましい。
請求項（抜粋）：
ソース電極と、ドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極を結ぶ直線と平行に配置された少なくとも一つの線状弁作用金属からなるゲート電極と、該ゲート電極表面に形成された酸化皮膜と、該酸化皮膜に密着して形成された半導体層とを具備することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 626 Z
