特許

J-GLOBAL ID：200903089771627168

撮像センサ

発明者： 星 淳一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228927
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071817
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【目的】赤感度の高い撮像センサを提供すること。【構成】半導体層を有し色毎の光検出を行う撮像センサにおいて、前記半導体層中には前記撮像センサに入射する光を電気信号に変換するための光電変換素子が設けられており、前記半導体層の下方には少なくとも特定の波長の光を反射するための反射構造が設けられており、前記撮像センサに入射した光の少なくとも一部が前記半導体層を透過し前記反射構造によって反射して再度前記光電変換素子方向に戻ることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層を有し色毎の光検出を行う撮像センサにおいて、 前記半導体層中には前記撮像センサに入射する光を電気信号に変換するための光電変換素子が設けられており、前記半導体層の下方には少なくとも特定の波長の光を反射するための反射構造が設けられており、前記撮像センサに入射した光の少なくとも一部が前記半導体層を透過し前記反射構造によって反射して再度前記光電変換素子方向に戻ることを特徴とする撮像センサ。

IPC (3件)：

H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 A

Fターム (29件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA08 ,  4M118GD03 ,  4M118GD07 ,  4M118GD08 ,  4M118GD15 ,  4M118HA25 ,  5F049MA01 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA03