特許

J-GLOBAL ID：200903089785911934

受光素子

発明者： 岩井 誉貴
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022641
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 拡散フロントであるP型領域層の下辺の平坦化、窓層と絶縁膜の間の界面準位の抑制を図り、暗電流を低く抑えることができる。【構成】 InP基板1と、基板1上に形成したInPからなる第1層2と、第1層2上に形成したInGaAsまたはInGaAsPからなる第2層3と、第2層3上に形成したInPからなる第3層4と、第3層4上に選択的に形成したInGaAsまたはInGaAsPからなる第4層5と、第4層5上に選択的に形成したInPからなる第5層6と、第2層3,第3層4,第4層5,第5層6中に形成した不純物領域7と、第5層6上に選択的に形成した絶縁膜8と、第4層5の第5層6で覆われていない領域を覆って形成した電極9とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

InP基板と、前記基板上に形成したInPからなる第1層と、前記第1層上に形成したInGaAsまたはInGaAsPからなる第2層と、前記第2層上に形成したInPからなる第3層と、前記第3層上に選択的に形成したInGaAsまたはInGaAsPからなる第4層と、前記第4層上に選択的に形成したInPからなる第5層と、前記第2層,第3層,第4層,第5層中に形成した不純物領域と、前記第5層上に選択的に形成した絶縁膜と、前記第4層の前記第5層で覆われていない領域を覆って形成した電極とを備えた受光素子。