特許

J-GLOBAL ID：200903089786681673

強誘電体単結晶薄膜およびその製法

発明者： 飯島 喜彦 ,  氏家 孝二 ,  森 孝二
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221122
公開番号（公開出願番号）：特開平5-043398
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レーザアブレーション技術を用いることにより、LiTayNbpO3(式中、yは0≦y≦1,p=1-yを表わす)で表わされる強誘電体単結晶体で構成され、かつ膜全体が均一、かつ単結晶で構成される高品質な強誘電体単結晶薄膜の提供を目的とする。【構成】 本発明は、LiTaxNbwO3(式中、xは0≦x≦1,w=1-xを表わす)基板上に、ターゲットとして、LiTayNbpO3(y,pは前記に同じ)あるいはLi2O,Nb2O5およびTa2O5を用い、レーザアブレーションにより基板上にLiTayNbpO3(y,pは前記に同じ)で表わされる単結晶薄膜を形成することよりなる。

請求項（抜粋）：

LiTaxNbwO3(式中、xは0≦x≦1,w=1-xを表わす)基板上に、レーザアブレーション法によって形成したLiTayNbpO3(式中、0≦y≦1,p=1-yを表わす)で表わされる単結晶あるいはこれに金属元素をドープしたもので構成される薄膜を設けてなる基板付き強誘電体単結晶薄膜。