特許
J-GLOBAL ID：200903089791540565
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140399
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218405
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 MOS初特性及びホットキャリア信頼性を向上することを目的とする。【構成】 ゲート絶縁膜4は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体基板の前記ゲート電極の両側に前記半導体基板とは逆導電型のソース/ドレイン領域を形成した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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