特許

J-GLOBAL ID：200903089791676300

エピタキシャル基板および半導体素子

発明者： 木山 誠 ,  岡久 拓司 ,  櫻田 隆
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-238961
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100801
出願日： 2005年08月19日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】ショットキダイオード11で窒化ガリウム支持基体13は、第1の面13aと第1の面の反対側の第2の面13bとを有しており、1×1018cm-3を超えるキャリア濃度を示す。窒化ガリウムエピタキシャル層15は、第1の面13a上に設けられている。オーミック電極17は、第2の面13b上に設けられている。ショットキ電極19は、窒化ガリウムエピタキシャル層15に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層15の厚さD1は5マイクロメートル以上1000マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層15のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1017cm-3以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面と前記第1の面の反対側の第2の面とを有しており1×1018cm-3を超えるキャリア濃度を有する窒化ガリウム自立基板と、 前記第1の面上に設けられた第1の窒化ガリウムエピタキシャル膜と を備え、 前記第1の窒化ガリウムエピタキシャル膜の厚さは、5マイクロメートル以上1000マイクロメートル以下であり、 前記第1の窒化ガリウムエピタキシャル膜のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1017cm-3以下である、エピタキシャル基板。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/78 658E

Fターム (30件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF11 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LM02 ,  5F152LN03 ,  5F152LN18 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM18 ,  5F152NN09 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09