特許

J-GLOBAL ID：200903089792457360

鋳型への皮膜形成方法、鋳型および多結晶シリコンインゴットの製造方法

発明者： 花澤 和浩 ,  上ノ薗 聡 ,  中川 成敏 ,  渕瀬 正 ,  日和佐 章一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033349
公開番号（公開出願番号）：特開2002-239682
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】【課題】亀裂がなく、インゴットを得るまでは剥離しにくい皮膜であって、膜厚が薄くても製品を損傷することなくインゴット取出すことができるSi3N4 皮膜を容易にかつ簡便に形成することができる多結晶シリコンインゴット用鋳型への皮膜形成方法、Si3N4 皮膜の形成された鋳型、多結晶シリコンインゴットの製造方法の提供。【解決手段】離型剤スラリーとして比表面積7m2 /g以上のSi3N4 粉末とともに分散剤を含むスラリーを用いて鋳型内面に皮膜を形成する。

請求項（抜粋）：

鋳型内面に離型剤スラリーを塗布、乾燥し、皮膜を形成するに際して、離型剤スラリーとして比表面積7m2 /g以上のSi3N4 粉末とともに分散剤を含むスラリーを用いる、多結晶シリコンインゴット用鋳型への皮膜形成方法。

IPC (2件)：

B22C 3/00 ,  B22C 9/06

FI (2件)：

B22C 3/00 B ,  B22C 9/06 D

Fターム (5件)：

4E092AA01 ,  4E092DA10 ,  4E092GA02 ,  4E093NA10 ,  4E093NB10