特許

J-GLOBAL ID：200903089793032451

半導体発光素子

発明者： 奥山 浩之 ,  秋本 克洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032253
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075217
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 基体上にII-VI族化合物半導体による短波長半導体発光素子を構成する。【構成】 基体1上に、ZnMgSSe系のクラッド層2及び4によって挟み込まれたダブルヘテロ接合型のII-VI族化合物半導体発光素子を構成する。

請求項（抜粋）：

基体上に、少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とがエピタキシャル成長されて成り、上記第1及び第2のクラッド層が、ZnMgSSe系、またはZnMgSe系、或いはZnMgS系化合物半導体より成ることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-213376
  
• 特開昭63-213376
  
• 特開昭63-213376
  
• 特開平1-157576