特許

J-GLOBAL ID：200903089794946503

半導体レーザの製造方法

発明者： 福永 秀樹 ,  植木 伸明 ,  乙間 広己 ,  中山 秀生
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 松永 孝義 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275802
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 不純物拡散の方法を改良することによって一回の結晶成長により半導体層を形成することのできる埋め込み型半導体レーザの製造方法の提供。【構成】 半導体基板上に少なくともクラッド層3、7、光導波層5、量子井戸活性層6を備えた半導体レーザを製造する場合に、活性層6に近接して不純物拡散源層4を設ける工程と、半導体層上にストライプ状に窓を形成した絶縁膜14を設ける工程と、前記絶縁膜14下部の前記不純物拡散源層4または絶縁膜14で覆われてない所から不純物を熱拡散させ、混晶領域11を得る工程とを含む。不純物拡散源層4内の不純物として絶縁膜で覆われた箇所の拡散が促進される性質を持つZn、SiまたはMg等が用いられる。また、絶縁膜14下部で拡散が抑制される性質を持つセレンSe等をストライプ状に設けた絶縁膜14覆われない箇所の不純物拡散源層4中の不純物として用いても良い。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくともクラッド層、光導波層、量子井戸活性層を備えた半導体レーザの製造方法において、活性層に近接して不純物拡散源層を設ける工程と、半導体層上にストライプ状に窓を形成した絶縁膜を設ける工程と、前記絶縁膜下部の前記不純物拡散源層から不純物を熱拡散させる工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。