特許

J-GLOBAL ID：200903089798709700

疎水性微細シリカおよびその製造方法

発明者： 中村 正博 ,  延本 一寿 ,  永野 尊凡 ,  美谷 芳雄
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010524
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【目的】表面に十分な量の疎水基を有し、しかもOH基の量は少なく、高い疎水性の微細シリカを得る。【構成】単位表面積当たりの表面のOH基の数が0.3個/nm2以下であり、且つ修飾疎水度が60%以上である疎水性微細シリカ。単位表面積当たりの表面OH基の数が1.5個/nm2以下である微細シリカを水蒸気の存在下にヘキサメチルジシラザンと接触させることにより製造する。

請求項（抜粋）：

単位表面積当たりの表面のOH基の数が0.3個/nm2以下であり、且つ修飾疎水度が60%以上であることを特徴とする疎水性微細シリカ。

IPC (2件)：

C01B 33/18 ,  C09C 1/28 PAQ