特許

J-GLOBAL ID：200903089807730912

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 山本 剛 ,  伊藤 忠 ,  東 博純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049167
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 B(ボロン)の拡散によってn型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。【解決手段】 n- 型エピ層2にBのイオン注入を行ったのち、Bを活性化させるアニール処理を行ってp型ベース領域3を形成する。そして、Bの濃度が高濃度となる部分までn- 型エピ層2の表層部をRIEして、p型ベース領域3を露出させる。その後、n- 型エピ層2を犠牲酸化したのち、この犠牲酸化によってできた酸化膜を除去し、RIEによるダメージを除去する。この犠牲酸化工程によって、p型ベース領域3及びn- 型エピ層2の表面の結晶性が良好になる。このため、この後にp型ベース領域3の上部に表面チャネル層5を形成しても、Bが表面チャネル層5に拡散しないようにできる。

請求項（抜粋）：

単結晶炭化珪素よりなるn型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなるn型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域にBをイオン注入して、p型のベース領域(3)を形成する工程と、前記ベース領域を含む前記半導体層を犠牲酸化したのち、この犠牲酸化によってできた酸化膜を除去する工程と、前記ベース領域の上部にn型の表面チャネル層(5)を形成する工程と、前記ベース領域の表層部の所定領域に前記表面チャネル層に接すると共に、前記ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)を形成する工程と、前記表面チャネル層上にゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を形成する工程と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T