特許

J-GLOBAL ID：200903089807731846

絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタ

発明者： 黒崎 徹
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167069
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 フィ-ルド絶縁膜の形成による低入力容量化の効果を落とさずに高耐圧特性の絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタを簡単、かつ製造容易な構造で実現する。【構成】 ポリシリコンゲ-ト電極7の下方の絶縁膜として、各単位セル間の隣接位置にはゲ-ト絶縁膜5より厚いフィ-ルド絶縁膜6の領域を設け、各単位セル間の対角位置にはゲ-ト絶縁膜5のみの領域を設けることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数個の単位セルを並列接続して構成する絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタにおいて、ポリシリコンゲ-ト電極の下方の絶縁膜として、各単位セル間の隣接位置にはゲ-ト絶縁膜より厚いフィ-ルド絶縁膜の領域を設け、各単位セル間の対角位置にはゲ-ト絶縁膜のみの領域を設けるようにしたことを特徴とする絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-180484
  
• 特開昭64-411269
  
• 特開平2-216871