特許

J-GLOBAL ID：200903089808915185

化合物半導体の形成方法及び半導体装置

発明者： 河田 雅彦 ,  後藤 順 ,  赤松 正一 ,  皆川 重量
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096916
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289877
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】InGaNの成長において、混晶内で部分的なInの析出を防止し、成長膜の平坦性を保ち、上記混晶部を半導体レーザの活性層に使用したときの発振波長の多重化を防止する。【解決手段】InNとGaNを単膜として数原子層ずつ交互に積層することにより見かけ上、InGaNのバンドギャップに相当する擬似3元混晶を形成する。InGaNのIn組成は、InNの膜厚を一定とし、GaNの膜厚を調整することにより決定する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の3元混晶の形成方法において、3元混晶を構成する一方の第1の化合物半導体と残りの第2の化合物半導体を数原子層ずつ、交互に積層し、3元混晶の組成は第1および第2の化合物半導体の層厚の割合を適正に変化させることにより所望の組成の擬似3元混晶を形成することを特徴とする化合物半導体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18