特許
J-GLOBAL ID：200903089818180353
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276384
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090419
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層の磁化方向とピン磁性層の磁化方向との直交性を確保しつつ、ハードバイアス層の保磁力低下を防止し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制して良好な線形応答性を得る。【解決手段】 基板11と、該基板上に積層される反強磁性層13、ピン磁性層14、非磁性導電層15及びフリー磁性層16からなる磁気抵抗効果膜17と、少なくともフリー磁性層の両側に配置されたハードバイアス層19と、磁気抵抗効果膜にセンス電流を流すための1対の導電リード20とからなり、磁気抵抗効果膜を構成するフリー磁性層以外の導電膜の内、少なくとも反強磁性層がフリー磁性層よりも更に両側に延長しているスピンバルブ型磁気抵抗効果素子において、反強磁性層が、ハードバイアス層形成前の熱処理により実質的にfcc以外の結晶構造を有する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に積層される反強磁性層、固定側磁性層、非磁性導電層及び自由側磁性層からなる磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に隣接して少なくとも前記自由側磁性層の両側に、かつ前記自由側磁性層よりも更に両側に延長する前記反強磁性層、固定側磁性層又は非磁性導電層の上に形成されたハードバイアス層と、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を流すための1対の導電リードとからなり、前記反強磁性層が、前記ハードバイアス層形成前の熱処理により形成された実質的に面心立方晶系(fcc)以外の結晶構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (6件)：
5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034BA12
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
