特許

J-GLOBAL ID：200903089818633064

アクティブマトリクス基板

発明者： 松島 康浩 ,  山下 俊弘 ,  島田 尚幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153812
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 TFTのオン/オフ特性を向上させる。【解決手段】 基板上に絵素電極がマトリクス状に形成され、該絵素電極の周辺部を通って、複数の走査配線および複数の信号配線が形成され、両配線の交差位置近傍に、絵素電極を駆動する薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリクス基板において、前記走査配線と前記信号配線と前記絵素電極とはそれぞれ別の層に形成されるとともに、前記薄膜トランジスタはチャネル部を有する半導体層を具備してなり、前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁層上の少なくとも該チャネル部に対応する位置に第1の金属膜が形成されるとともに、前記絵素電極と薄膜トランジスタのドレイン領域との間を接続する第2の金属膜が前記絶縁層上に貫通形成されてなり、該第1の金属膜と第2の金属膜とが同じ材料からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に絵素電極がマトリクス状に形成され、該絵素電極の周辺部を通って、複数の走査配線および複数の信号配線が形成され、両配線の交差位置近傍に、絵素電極を駆動する薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリクス基板において、前記走査配線と前記信号配線と前記絵素電極とはそれぞれ別の層に形成されるとともに、前記薄膜トランジスタはチャネル部を有する半導体層を具備してなり、前記薄膜トランジスタを被覆する絶縁層上の少なくとも該チャネル部に対応する位置に第1の金属膜が形成されるとともに、前記絵素電極と薄膜トランジスタのドレイン領域との間を接続する第2の金属膜が前記絶縁層上に貫通形成されてなり、該第1の金属膜と第2の金属膜とが同じ材料からなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 500 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 500 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 619 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-292115
  
• 特開昭63-208896
  
• 特開平1-156725