特許

J-GLOBAL ID：200903089822031559

光半導体集積素子及びその製造方法

発明者： 江川 満
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-005954
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217446
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 光半導体集積素子及びその製造方法に関し、バットジョイント成長工程における積層欠陥の発生を防止する。【解決手段】 {100}面を主面とする半導体基板5上に設けた第1の機能を有する半導体多層構造1に対して第2の機能を有する半導体多層構造2をバットジョイント結合させた光半導体集積素子の第1の機能を有する半導体多層構造1の結合部側のメサ構造の側面4の主要部を、{100}面に対するなす角が{111}面のなす角より小さな緩斜面で構成する。

請求項（抜粋）：

{100}面を主面とする半導体基板上に設けた第1の機能を有する半導体多層構造に対して第2の機能を有する半導体多層構造をバットジョイント結合させた光半導体集積素子において、前記第1の機能を有する半導体多層構造の結合部側のメサ構造の側面の主要部が、{100}面に対するなす角が{111}面のなす角より小さな緩斜面で構成されることを特徴とする光半導体集積素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15

FI (4件)：

H01L 27/15 C ,  H01L 31/10 A ,  H01L 21/306 B ,  H01L 27/14 Z

Fターム (20件)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA06 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118EA01 ,  4M118GA09 ,  5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043FF04 ,  5F043GG10 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA08 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F049SS09 ,  5F049TA11