特許

J-GLOBAL ID：200903089824344074

拡張キャパシタを形成するための統合方法及び装置

発明者： プラヴィン ナルワンカル ,  タルガット サヒン ,  ランダル エス. ユルダール
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290845
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250929
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタを形成するための新規な方法及び装置。【解決手段】 本発明に従い、底部電極を有する基板が提供される。次いで、メタル酸化物誘電体膜が底部電極の上に形成される。メタル酸化物誘電体膜は、遠隔で発生したラジカルでアニールされる。次に、メタル窒化物層が、アニールされたメタル酸化物誘電体膜の上に形成される。次いで頂部電極が、メタル窒化物バリア層の上に形成される。

請求項（抜粋）：

デバイスを製造する方法であって、メタル膜を有する基板を第1のプロセスチャンバ内に配置するステップと、前記第1のチャンバとは別個の第2のチャンバ内で活性窒素原子を発生させるステップと、前記第1のチャンバ内で前記メタル膜を前記活性窒素原子に曝露するステップと、前記活性窒素原子に曝露されたメタル膜の上に、メタル酸化物誘電体を形成するステップとを有する方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 621 B