特許
J-GLOBAL ID：200903089824853378
半導体基板上に化学気相成長によって酸化金属薄膜を堆積する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056191
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264485
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【課題】 高純度、高均一性の特にペロボスカイト相酸化金属薄膜を容易に堆積可能とする。【解決手段】 溶液10中の第1先駆物質はカルボン酸塩配位子及びポリエーテル配位子に対して配位された二価金属を含み、かつ第2先駆物質は1つ以上のアルコキシド配位子に対して配位された三価金属を含み、これらの2つの先駆物質は、混合安定気相12の状態で、好適に加熱された基板14へ送出され、ここで2つの先駆物質間の表面媒介反応が揮発性エステル16を解放しかつ基板14上に二価金属と酸化金属と酸素とを含む中間化合物薄膜18を堆積する。続いて、基板14がアニールされて、処理されなかった配位子を駆逐し及び/又は中間化合物薄膜18を全面的に結晶させてペロボスカイト相薄膜20へ変換する。表面媒介反応は、堆積薄膜の化学量論制御を助成しかつその均一性を促進する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に薄膜を堆積する方法であって、(ア) 脱水混合安定相の状態で第1先駆物質と第2先駆物質とを供給するステップであって、前記第1先駆物質が化学式AXを有しかつ前記第2先駆物質が化学式BYを有し、ここに(i) Aはバリウム、ストロンチウム、カルシウム、及びビスマスの各々と、該各々の組合わせとからなる群から選択される金属であり、(ii) Bはチタン、ニオブ、及びジルコニウムの各々と、該各々の組合わせとからなる群から選択される金属であり、(iii) XはAに対して配位された少なくとも1つの第1有機配位子を含みかつ実験式O2 CRを有し、ここにRはアルキルと、アリルと、置換基を持つアルキルと、置換基を持つアリルと、ハロゲン化炭化水素置換基とからなる群から選択され、及び(iv) YはBに対して配位された少なくとも1つの第2有機配位子を含みかつ実験式OR′を有し、ここにR′は有機置換基である、前記供給するステップ、及び(イ) 前記第1先駆物質と前記第2先駆物質との間に表面媒介エステル除去反応を起こさせるために充分な温度に前記基板を維持する間に、前記脱水混合安定相の状態で前記第1先駆物質と前記第2先駆物質とを前記基板と接触させるステップであって、前記反応が前記第1有機配位子の実質的に全部を前記第2配位子と反応させて揮発性エステルを形成し、前記反応が前記基板上にAと、Bと、Oとを含む中間化合物薄膜を堆積する、前記接触させるステップを含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285
, H01L 21/316
H01L 21/285 C
, H01L 21/316 X
