特許
J-GLOBAL ID：200903089825675635
縦型構造トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249400
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104275
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】縦型構造トランジスタにおいて接合部での発生熱を効率良く放散でき、引き出し配線がもつインダクタンスを充分に低減できて、縦型構造トランジスタをマイクロ波帯での電力増幅用として実用化できるようにする。【構成】コレクタ層41、ベース層42、エミッタ層43がこの順に積層されている。コレクタ電極51は一側のコレクタ引き出し電極61に連絡され、ベース電極52は他側のベース引き出し電極62に連絡されている。エミッタ電極53とコレクタ電極51およびベース電極52とは層間絶縁膜70を介して電気的に絶縁されている。トップ層電極であるエミッタ電極53の上面からはエミッタ電極53の長さ方向に対する直交方向の両側に向かう状態で層間絶縁膜70に接するようにしてアーチ状にエミッタ引き出し電極63を引き出し、その引き出し延在部分63aは半導体基板30上にパターニングしてある。
請求項（抜粋）：
エミッタトップ型またはコレクタトップ型の縦型構造トランジスタにおいて、トップ層以外の接合部における電極から連絡された引き出し電極はその全体を半導体基板上でパターニングされている一方、トップ層の接合部における電極に対してはそのトップ層電極の上面からそのトップ層の長さ方向に対する直交方向の両側に向かう状態で引き出し電極をアーチ状に引き出しかつその引き出し延在部分は半導体基板上にパターニングされていることを特徴とする縦型構造トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
