双方向素子およびその製造方法、半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-038698
公開番号（公開出願番号）：特開2004-274039
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】高耐圧でオン電圧を低くできる双方向素子を含む半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】トレンチ底面3aにn拡張ドレイン領域4を形成し、分割半導体領域にpオフセット領域5とその表面に第1、第2nソース領域9、10を形成することで、第1、第2nソース領域9、10の平面距離を短縮してセルの高密度化を図り、トレンチに沿って耐圧を維持させることで高耐圧化を図り、ゲート電極7の電圧を第1、第2nソース電極11、12より高くすることで、トレンチ側壁にチャネルを形成して、双方向へ電流が流れる高耐圧で低オン電圧の双方向LMOSFETとすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電形半導体領域内に形成されたトレンチにより、前記半導体領域の表面層を分割して形成された第1、第2の分割半導体領域と、前記トレンチの底面または底面および側壁に形成された第1導電形の第1領域と、前記第1、第2の分割半導体領域にそれぞれ形成された、前記トレンチの側壁および前記第1領域に接する第2導電形の第2、第3領域と、前記第1の分割半導体領域に、前記トレンチの側壁と接し、前記第2領域に接して形成された第1導電形の第4領域と、前記第2の分割半導体領域に、前記トレンチの側壁と接し、前記第3領域に接して形成された第1導電形の第5領域と、前記第1の分割半導体領域の前記トレンチ側壁に、前記第1領域から前記第4領域に渡って第1絶縁膜を介して形成された第1制御電極と、前記第1の分割半導体領域の前記トレンチ側壁に、前記第1領域から前記第5領域に渡って第2絶縁膜を介して形成された第2制御電極と、前記第4領域上に形成された第1主電極と、前記第5領域上に形成された第2主電極と、を有する双方向素子。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088

FI (7件)：

H01L29/78 301W , H01L29/78 653B , H01L29/78 301V , H01L27/08 102B , H01L27/08 102C , H01L29/78 301X , H01L27/08 102E

Fターム (55件)：

5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB19 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BD07 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF03 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG12 , 5F048BH01 , 5F048CB07 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AB04 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BB06 , 5F140BC07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BF54 , 5F140BG38 , 5F140BH03 , 5F140BH05 , 5F140BH10 , 5F140BH13 , 5F140BH25 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CC03 , 5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-324149 出願人：松下電工株式会社
特開昭62-029173
特開昭62-031167

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審査官引用 (11件)

特開昭62-031167
特開昭62-032649
特開昭62-029173

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