特許
J-GLOBAL ID:200903089826664564

ダイナミツクRAM

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 内原 晋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-279387
公開番号(公開出願番号):特開平5-120873
出願日: 1991年10月25日
公開日(公表日): 1993年05月18日
要約:
【要約】【目的】電源投入後の中間電位供給接点の中間電位の立上り時間を短かくし、かつ消費電流を低減する。【構成】外部電源電位VCCが所定のレベルに達したことを検知して検知信号PONA,PONBを発生する電源投入検知回路1を設ける。外部電源電位VCCから第1の中間電位HV1を発生する駆動能力の大きい第1の中間電位発生回路3を設ける。電源投入から検知信号PONAが発生するまでは第1の中間電位発生回路3からの中間電位を中間電位供給接点へ供給し、検知信号PONA,PONB発生後は内部電源電位VINTから第2の中間電位HV2を発生する第2の中間電位発生回路4から中間電位供給接点へ中間電位HV2を供給すると共に第1の中間電位発生回路3の中間電位発生機能を停止する。
請求項(抜粋):
外部電源が投入され外部電源電位が予め設定された電位に達したことを検知して検知信号を発生する電源投入検知回路と、前記外部電源電位を受けこの外部電源電位より低い電位の内部電源電位を発生する内部電源回路と、前記外部電源電位を受けて第1の中間電位を発生して中間電位供給接点へ供給し、前記検知信号が発生しかつ前記第1の中間電位が所定の電位となったとき前記中間電位供給接点への前記第1の中間電位の供給及び中間電位発生機能を停止する所定の中間電位駆動能力をもつ第1の中間電位発生回路と、前記内部電源電位を受けて第2の中間電位を発生し前記検知信号が発生すると前記中間電位供給接点へ前記第1の中間電位発生回路より小さい中間電位駆動能力で前記第2の中間電位を供給する第2の中間電位発生回路とを有することを特徴とするダイナミックRAM。

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