特許
J-GLOBAL ID:200903089828191183

ハイブリッドICとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 国則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-177361
公開番号(公開出願番号):特開平5-343604
出願日: 1992年06月10日
公開日(公表日): 1993年12月24日
要約:
【要約】【目的】 実装密度の向上とコストダウンを図れるハイブリッドICとその製造方法を提供すること。【構成】 プリント配線板2上の半導体素子3周辺にチップ部品4を配置し、ボンディングワイヤー5の一端を半導体素子3上面の電極パッド31に接続し、他端をチップ部品4の電極41に接続するハイブリッドIC1で、先ず導体パターン6上に導電性ペースト7を塗布した後、導体パターン6上に半導体素子3とチップ部品4とを接続し、半導体素子3の電極パッド31にボンディングワイヤー5の一端を接続した後、チップ部品4の電極41に他端を接続する製造方法。
請求項(抜粋):
プリント配線板上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の周辺に搭載されたチップ部品と、前記半導体素子と前記チップ部品との間を電気的に接続するボンディングワイヤーとから成るハイブリッドICであって、前記ボンディングワイヤーの一端が前記半導体素子の上面に設けられた電極パッドに接続され、同他端が前記チップ部品に設けられた電極に接続されていることを特徴とするハイブリッドIC。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-040452
  • 特開昭62-134939
  • 特開平3-101136

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