特許
J-GLOBAL ID：200903089828700010
無定形炭素膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066448
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】電圧を制御することなしに誘電率の異なる誘電体を用いて屈折率の異なる部分を有する無定型炭素膜を形成し、赤外線用光路に用いる。【解決手段】平行平板型高周波プラズマCVD装置を用いて、赤外線に対して透明な無定型炭素膜を作製する方法において、基板を配置した電極が負となるように直流バイアス電位を設け、電極の表面に誘電率の異なる誘電体によって光路のパターンを形成することにより、電極間に局所的なプラズマ密度の差を設けて膜を形成することで、マスキングを行うこと無しに水素濃度、屈折率及び硬度が異なるパターンを有する無定型炭素膜を形成し、赤外線用光路に用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に下部クラッド層が形成され、前記下部クラッド層上にコア部および前記コア部を挟持するクラッド部が形成され、前記コア部およびクラッド部上に上部クラッド層が形成されている赤外線用光路であって、前記下部クラッド層、前記コア部、前記クラッド部および前記上部クラッド層は水素を含有する無定形炭素薄膜であることを特徴とする赤外線用光路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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