特許
J-GLOBAL ID：200903089833546615

薄膜キャパシタおよびその製造方法

発明者：
山道 新太郎

山道 新太郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-178685
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358303
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率の誘電体膜を用いた薄膜キャパシタの絶縁破壊に至る時間を長くする。【解決手段】 基板1上の任意の層に下部電極2、高誘電率の誘電体3、上部電極4が積層された薄膜キャパシタにおいて、該高誘電率の誘電体が結晶粒と結晶粒界からなる多結晶であって、複数の原子価を取りうる金属イオンを不純物として含有し、該結晶粒内部5よりも該結晶粒界6近傍に高濃度の該不純物を含有していることを特徴とする薄膜キャパシタ。
請求項（抜粋）：
基板上の任意の層に下部電極、高誘電率の誘電体、上部電極が積層された薄膜キャパシタにおいて、該高誘電率の誘電体が結晶粒と結晶粒界からなる多結晶であって、複数の原子価を取りうる金属イオンを不純物として含有し、該結晶粒内部よりも該結晶粒界近傍に高濃度の該不純物を含有していることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (8件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 14/34 ,  H01G 4/33 ,  H01G 13/00 391 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105
FI (9件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/34 L ,  H01G 13/00 391 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 444 C
Fターム (38件)：
4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BB10 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  5E082AB03 ,  5E082BC35 ,  5E082EE05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082KK01 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF12 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083HA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103KK10 ,  5F103NN03 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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