窒化物半導体レーザ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：豊栖康弘 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-272832
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033099
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】ストライプ状の開口部を備えた電流狭窄層を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、安定した素子特性を得ることができる素子構造を提供すること。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層10のp側又はn側に、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.1,0.5≦y≦1、0.5≦x+y≦1)から成り、ストライプ状の開口部32を有する電流狭窄層30が形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、ストライプ状の開口部32を、電流狭窄層30のうち下地層に接触する部分が10Å以上残るように形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n側半導体層、活性層、p側半導体層から成る積層体の内部に、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.1,0.5≦y≦1、0.5≦x+y≦1)から成り、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層が形成された窒化物半導体レーザ素子であって、前記ストライプ状の開口部内に、前記電流狭窄層のうち下地層に接触する部分が残存した残膜部を有し、該残膜部を通じて前記活性層への電流注入が可能であることを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S5/223 , H01L21/205 , H01S5/343

FI (3件)：

H01S5/223 , H01L21/205 , H01S5/343 610

Fターム (31件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F073AA07 , 5F073AA22 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA23 , 5F073DA24 , 5F073EA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

3族窒化物半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-113904 出願人：パイオニア株式会社

審査官引用 (9件)

窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058603 出願人：シャープ株式会社
3族窒化物半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-113904 出願人：パイオニア株式会社
インナーストライプレーザダイオード構造及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-342899 出願人：ゼロックスコーポレーション

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