光電界センサの光学バイアス調整方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339978
公開番号（公開出願番号）：特開平7-159464
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】従来より用いられている光電界センサに特別の加工を施すことなく、又複雑な測定器を使用せずに、測定環境に応じて簡単に光学バイアスを調整する方法を供する。【構成】 LiNbO3単結晶X基板1上に設けられたマッハツェンダ型Ti拡散光導波路2の分岐後の光導波路の一部または全部に光を照射することで分岐後の2本の導波路の光の屈折率に差をつくり、光学バイアスを調整する。

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する光学結晶上に、入射光を2分岐した後、合波させる構造の光導波路を形成し、分岐された2本のそれぞれの光導波路近傍に変調電極を配置し、自然または強制的に発生する電界を前記変調電極に導くことによって生じる光強度変化を利用して電界強度を測定する光電界センサにおいて、電界強度を測定する直前に前記光導波路の分岐後のそれぞれの光導波路の一部または全部に光を照射し、前記分岐後のそれぞれの光導波路の光の屈折率に差を作ることで光学バイアスを調整することを特徴とする光電界センサの光学バイアス調整方法。

IPC (3件)：

G01R 29/08 , G01R 15/24 , G02F 1/03 502

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