特許

J-GLOBAL ID：200903089845026005

固体撮像装置及びその駆動方法

発明者： 川尻 和廣 ,  三井田 ▲高▼
出願人/特許権者： イノテック株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327662
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134729
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 受光面全面で、かつ同時に光信号による映像を取り込んで、その光信号を電気信号に変換して映像信号として外部に取り出すことができるMOS型イメージセンサを提供する。【解決手段】 基板11上に形成された光照射により光発生電荷を発生する受光領域を備えた受光ダイオード111と、光発生電荷の蓄積領域25を備え、光発生電荷の蓄積により変調された閾値電圧を光信号として出力する、基板11上に形成された光信号検出用絶縁ゲート型電界効果トランジスタ112と、受光領域で発生した光発生電荷を蓄積領域に転送する電荷転送経路と、受光領域で発生した光発生電荷を基板に排出する電荷排出経路と、電荷排出経路の光発生電荷に対する電位障壁を制御する手段42とを有する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された光照射により光発生電荷を発生する受光領域を備えた受光ダイオードと、前記光発生電荷の蓄積領域を備え、光発生電荷の蓄積により変調された閾値電圧を光信号として出力する、前記基板上に形成された光信号検出用絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記受光領域で発生した光発生電荷を前記蓄積領域に転送する電荷転送経路と、前記受光領域で発生した光発生電荷を前記基板に排出する電荷排出経路と、前記電荷排出経路の前記光発生電荷に対する電位障壁を制御する手段とを有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A

Fターム (25件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA14 ,  4M118FA19 ,  4M118FA34 ,  4M118FA39 ,  4M118FA40 ,  4M118FA42 ,  5C024AX01 ,  5C024CX11 ,  5C024CX17 ,  5C024CY16 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ04 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C024HX47 ,  5C024JX21