特許
J-GLOBAL ID：200903089847683488
シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120878
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310816
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 間接遷移型シリコン半導体を1〜20nmのサイズに微結晶化しその表面にシリコンクラスターを結合させることによって高効率な発光を引き起こさせることを目的とする。【構成】 シリコン微結晶発光媒質を光または電気的な手法を用いて励起することによってキャリアの生成が微結晶内で起こるようになる。生成されたキャリアはこの微結晶表面に付着した発光媒体であるシリコンクラスターに効率よくトランスファーされる。この結果、表面のシリコンクラスター準位には反転分布状態が形成され、レーザー発振が引き起こされるようになる。
請求項（抜粋）：
直径が1〜20nmのシリコン微結晶表面にシリコン原子の個数が、1〜100個からなるシリコンクラスターを結合させたシリコン微結晶媒質。
IPC (2件)：
前のページに戻る
