特許

J-GLOBAL ID：200903089848085070

複合セラミック基板及びその製造方法

発明者： 堀内 道夫 ,  原山 洋一 ,  山本 勝彦
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297322
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子との熱膨張係数のマッチング、熱放散性、高機械的強度が得られ、優れた電気的特性を有する基板として提供する。【構成】 キャビティが形成されたセラミック枠体30と、前記セラミック枠体30とは異なる材質により形成され、該セラミック枠体30のキャビティ内に接合用金属34を介して接合されたコア材32とを備え、該コア材32の少なくとも一方の表面が前記セラミック枠体30の表面と同一平面の平坦面に形成されて露出していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

キャビティが形成されたセラミック枠体と、前記セラミック枠体とは異なる材質により形成され、該セラミック枠体のキャビティ内に接合用金属を介して接合されたコア材とを備え、該コア材の少なくとも一方の表面が前記セラミック枠体の表面と同一平面の平坦面に形成されて露出していることを特徴とする複合セラミック基板。

IPC (4件)：

H01L 23/13 ,  C04B 37/00 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03

FI (2件)：

H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 D