特許

J-GLOBAL ID：200903089849770728

半導体レーザ

発明者： 田淵 晴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221791
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069594
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 2波長半導体レーザに関し,一本のストライプ状活性層から同時に大きな波長差の光を出射する半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に形成された量子井戸構造を有するストライプ状活性層3と,活性層3の光出射端面に近い位置から活性層3を共有して順次配設された短波長レーザ部9c,フィルター部10b及び長波長レーザ部9aとを有し,短波長レーザ部9cには,活性層3を発光層とするDFBストライプレーザが形成され,長波長レーザ部9aには,活性層3を発光層として,短波長レーザ部9cより低い注入電流密度で動作し,短波長レーザ部9cよりも長波長光を発振するDFBストライプレーザが形成され,フイルター部10bは,長波長レーザ部9aより高くかつ短波長レーザ部9cより低い注入電流密度で励起された活性層3を光導波路としてなることを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上に形成され,広い禁制帯幅の半導体からなるバリア層(3b)と狭い禁制帯幅の半導体からなる量子井戸層(3a)とが交互に重層された量子井戸構造を有するストライプ状の活性層(3)と,該活性層(3)の光出射端面に近い位置から該活性層(3)を共有して順次配設された短波長レーザ部(9c),フィルター部(10b)及び長波長レーザ部(9a)とを有し,該短波長レーザ部(9c)には,該活性層(3)を発光層とするDFBストライプレーザ(分布帰還型ストライプレーザ)が形成され,該長波長レーザ部(9a)には,該活性層(3)を発光層として,該短波長レーザ部(9c)より低い注入電流密度で動作し,該短波長レーザ部(9c)よりも長波長光を発振するDFBストライプレーザが形成され,該フイルター部(10b)は,該長波長レーザ部(9a)より高くかつ該短波長レーザ部(9c)より低い注入電流密度で励起された該活性層(3)を光導波路としてなることを特徴とする半導体レーザ。