特許
J-GLOBAL ID：200903089850798431
フォトマスクおよび半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272961
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109603
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 ピッチの大きな矩形パターンに対しても、焦点深度が向上するフォトマスクとそれを用いた半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 透明基板11の主表面上の第1の方向において、第1の開口部を隔て、露光装置における露光光の波長をλ、開口数をNA、コヒーレンス度をσとしたとき、P1>2λ/NA(1+σ)なる関係を満たす第1のピッチP1で配設されるとともに、第1のピッチよりも小さい第2のピッチで第1の方向に配設された第2の開口部12が設けられた遮光部14とを備えたものである。また、このフォトマスクを半導体装置の製造工程であるフォトリソグラフィー工程に適用したものである。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の主表面上の第1の方向において、第1の開口部を隔て、露光装置における露光光の波長をλ、開口数をNA、コヒーレンス度をσとしたとき、P1>2λ/NA(1+σ)なる関係を満たす第1のピッチP1で配設されるとともに、前記第1のピッチよりも小さい第2のピッチで前記第1の方向に配設され、透過する露光光の強度が前記第1の開口部を透過する露光光の強度よりも小さい第2の開口部が設けられた遮光部とを備えたフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
