特許
J-GLOBAL ID：200903089855383841
レ-ザ-ダイオ-ドチップの製造方法、光送/受信モジュ-ル及びこれらの位置整列方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269999
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106468
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 光ファイバーとレーザーダイオードチップとを所定の固定溝に安着させるだけで、光ファイバーとレーザーダイオードチップとの相互位置関係を正確に決定することができる。【解決手段】 本発明の光送信モジュールにおいて、シリコン基板100の上面には、光ファイバー120を支持、固定させるための第1の固定溝121と;レーザーダイオードチップ130を支持、固定させるための第2の固定溝131と;光ファイバー120とレーザーダイオードチップ130とを互いに一定間隔で離隔配置させるために、前記の第1及び第2の固定溝121、131の間に形成される媒介溝111を有する。
請求項（抜粋）：
光通信用レーザーダイオードチップを製造する際に、(1)3回のMOCVD成長の工程後のn型InP、p型InP、n型InP、p型InP及びInGaAs層が順次に積層されたウェーハの表面に窒化薄膜(Si3N4)を蒸着し、フォトリソグラフィ工程で、レーザーダイオードチップのサイズを±1ミクロン単位で精密に制御するためのカッティング用切断部としてのV-グルーブ(V-groove)をエッチングするために、エッチング用ウィンドウ(window)を開き、硫酸、過酸化水素及び蒸溜水が混合された溶液を利用してInGaAs層をエッチングするステップと;(2)塩酸系溶液を利用して電流遮断層であるInP層をエッチングするステップと;(3)PECVDを利用して窒化薄膜を蒸着するステップと;(4)フォトリソグラフィ工程で、電極を形成するために電極形成用ウィンドウを開き、ウェーハの表面にP型電極を形成するステップと;(5)ウェーハの裏面を研磨した後、裏面にN型電極を形成するステップと;(6)前記(1)乃至(5)の工程を介して完成された、V-グルーブを有するレーザーダイオードチップセットのV-グルーブを、ブレーカ(breaker)により切断することにより、所望のサイズのレーザーダイオードチップを製作するステップとを含むことを特徴とするレーザーダイオードチップの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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