特許
J-GLOBAL ID：200903089865492231
半導体光検出器及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327503
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163388
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 ゲルマニウム単結晶層の形成時間を短縮し、受光感度も高める。【解決手段】 開示される半導体光検出器は、シリコン基板41上に形成された埋込シリコン酸化膜42と、埋込シリコン酸化膜42上に形成され、シリコン酸化膜からなり、素子形成領域を囲み、上面及び光入射方向の面が開口した素子分離領域44と、素子分離領域44の開口部44a近傍に形成されたn型シリコン領域43と、n型シリコン領域43の側面から側壁部44bに向かって順にエピタキシャル成長法により形成されたn+型シリコン層45、ゲルマニウム単結晶層46及びp+型シリコン層47と、p+型シリコン層47の側面と側壁部44bとの間に形成されたp+型ポリシリコン層48と、p+型ポリシリコン層48及びn型シリコン領域43のそれぞれの上面に形成されたアノード電極52及びカソード電極53とを備えてなる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された下層シリコン酸化膜と、前記下層シリコン酸化膜上に形成され、素子形成領域を囲み、少なくとも素子形成領域と接する面にシリコン酸化膜が形成され、上面及び光入射方向の面が開口した素子分離領域と、前記素子形成領域において、前記素子分離領域の光入射方向の開口部近傍に形成された第1導電型シリコン領域と、前記素子形成領域において、前記第1導電型シリコン領域の側面から前記開口部と面対称の位置にある前記素子分離領域の面に向かって順にエピタキシャル成長法により形成された第1導電型高濃度シリコン層、ゲルマニウム単結晶層及び第2導電型高濃度シリコン層と、前記第2導電型高濃度シリコン層の側面と前記開口部と面対称の位置にある前記素子分離領域の面との間に形成された第2導電型高濃度ポリシリコン層と、前記第2導電型高濃度ポリシリコン層及び前記第1導電型シリコン領域のそれぞれの上面に形成された第1及び第2の電極とを備えてなることを特徴とする半導体光検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
