特許
J-GLOBAL ID:200903089868617809
電解めっき方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐伯 憲生 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-039631
公開番号(公開出願番号):特開平10-036997
出願日: 1997年01月20日
公開日(公表日): 1998年02月10日
要約:
【要約】【課題】金属張りの基板を炭素質粒子の被膜で被覆することによって金属張り基板の望ましい個所のみを選択的に電気めっきする処理方法を提供する。【解決手段】本発明は、金属張りの基板の金属張りの上で犠牲被膜を形成し、次いでその基板を炭素質粒子の被膜で被覆し、その後犠牲被膜用のエッチング液と接触させ炭素質被膜をアンダーカットして、めっきが所望されない領域から炭素質被膜を除去しやすくすることにより、望ましい個所のみに選択的に金属を析出させる方法に関する。
請求項(抜粋):
銅張りの非金属の平らな基板を貫通する開口部の壁に金属を析出する処理方法において、前記銅張り上で犠牲被膜を形成する段階、水性媒体中で炭素質粒子の分散物を提供する段階、前記開口部を有する前記基板を前記分散物と接触させて、前記銅張り上の前記犠牲被膜を含む前記基板の表面上で前記炭素質分散物の多孔質被膜を形成する段階、前記銅張りよりも優先的に前記犠牲被膜を溶解するエッチング液と前記基板を接触させることにより、前記銅張りから前記炭素質被膜を除去する段階、及び前記炭素質被膜で被覆された前記基板の少なくともこれらの部分に金属めっき用電解液からめっきする段階、を有することを特徴とする処理方法。
IPC (4件):
C25D 5/56
, C23C 20/08
, C23F 1/00 101
, H05K 3/46
FI (6件):
C25D 5/56 C
, C23C 20/08
, C23F 1/00 101
, H05K 3/46 E
, C23F 13/00 P
, C23F 13/00 C
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