特許
J-GLOBAL ID：200903089875212032
熱電変換モジユール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179966
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029667
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 熱電素子と基板との接合部に生じる応力を緩和し、熱電素子の充填密度を向上させる。【構成】 熱電変換モジュールは高温側および低温側の両方に基板を有する。基板21にはP型素子1およびN型素子2が電極11を介して接続されており、分割した基板22のそれぞれには、P型素子1あるいはN型素子2の一方のみが電極12を介して並列に接続されている。1つの熱電変換モジュール内の極性の等しい素子の熱膨張率は等しいため、基板21と基板22の距離は、加熱により伸縮はするが、全ての素子の伸びは等しいため、基板21とP型素子1およびN型素子2の接合部、基板22とP型素子1およびN型素子2 の接合部には熱膨張率差による熱応力は発生しない。
請求項（抜粋）：
複数のP型素子及びN型素子を有する熱電素子と、複数の一方の前記N型素子と前記P型素子を接続する電極を形成した第1の基板と、複数の他方の前記P型素子同士を接続する電極を形成した第2の基板と、複数の他方の前記N型素子同士を接続する電極を形成した第3の基板とを有することを特徴とする熱電変換モジュール。
引用特許：
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