特許

J-GLOBAL ID：200903089876128450

光起電力素子

発明者： 能口 繁 ,  岩多 浩志 ,  佐野 景一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260746
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102504
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 BSF(back surface field)構造を採用した場合に生ずる結晶系半導体と非晶質半導体との半導体接合部の界面準位を低減することにより、光生成キャリアの再結合を抑制し多くのキャリアを外部に取り出すことにある。【構成】 BSF構造となる導電性単結晶半導体(3)と、この単結晶半導体(3)と同じ導電型の非晶質半導体(5)との間に真性非晶質半導体(4)を介在せしめたことにある。

請求項（抜粋）：

互いに逆導電型の関係を有する非晶質半導体と、単結晶半導体若しくは多結晶半導体(以下、これらを結晶系半導体と称する。)とから成る光入射側に配置された第1の半導体接合と、前記結晶系半導体と、該結晶系半導体と同じ導電型の関係を有する非晶質半導体とから成る光透過側に配置された第2の半導体接合とを具備するとともに、前記第2の半導体接合の前記非晶質半導体と前記結晶系半導体との間に水素を含有する真性非晶質半導体を介在せしめたことを特徴とする光起電力素子。