特許
J-GLOBAL ID：200903089880598330
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026969
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235529
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】ウェハをソフトに保持して、押圧部位に圧力の歪が発生しないようにする。【構成】ウェハ保持部材40の少なくとも一部をウェハ方向に伸縮するベローズ9で構成し、反応室4圧力と大気圧とベローズ9のばね力と構造部材の自重との差を用いてベローズ9がウェハ1方向に伸びるようにして、ベローズ9の先端の押圧子でウェハ1を押圧して保持する。
請求項（抜粋）：
反応室と、この反応室内に位置されるウェハ加熱源と、このウェハ加熱源の上に位置決めされるウェハを保持するウェハ保持部材と、上記反応室内に収納され、かつ上記ウェハに反応ガスを供給する反応ガス供給部とを備えた半導体製造装置において、上記ウェハ保持部材として、上記反応室の内,外を連通する連通孔に挿通されて、上記ウェハの表面方向に進退自在となり、先端に押圧子を有するロッドと、一端が上記連通孔の周縁に接続され、他端が上記ロッドの外周に接続されて、上記ウェハ方向に伸縮自在となった筒状のベローズとから構成し、上記ロッドをウェハから離れる方向に引いてから、上記ウェハを保持する時にこのロッドを解放する制御部材と、上記反応室内を排気する反応ガス排気部と、反応室内の圧力を調整する圧力制御器とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 14/50
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/68
