特許
J-GLOBAL ID:200903089883795381
露光方法、それに用いるフオトマスクおよびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-255077
公開番号(公開出願番号):特開平5-002260
出願日: 1991年10月02日
公開日(公表日): 1993年01月08日
要約:
【要約】【目的】 位相シフト用フォトマスクのパターン設計を容易にする。【構成】 本発明の露光方法は、位相シフタ15を形成した第一のフォトマスクM1 の光透過領域P1 を透過した光L1 の位相差による回折投影像(D)と、第二のフォトマスクのM2 の光透過領域P2 を透過した光L2 の投影像とを試料3上で重ね合わせるものである。
請求項(抜粋):
フォトマスクに形成された所定のパターンを試料に転写する際、光源と試料との間に一対のフォトマスクを配置すると共に、一方のフォトマスクの光透過領域の一部に位相シフタを形成し、前記位相シフタを形成したフォトマスクの光透過領域を透過した光の位相差による回折投影像と、もう一方のフォトマスクの光透過領域を透過した光の投影像とを試料上で重ね合わせることを特徴とする露光方法。
IPC (3件):
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
FI (3件):
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 L
, H01L 21/30 311 W
引用特許:
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