特許

J-GLOBAL ID：200903089885735130

露光方法及び露光装置

発明者： 橋本 武夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299271
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 パイロット露光を行わなくても済む露光方法および露光装置を提供する。【解決手段】 表面像形成技術によってマスク上の回路パターンを半導体基板に転写する露光方法において、半導体基板とマスクとの位置合わせを行った後(工程103)、マスク上に形成された検査パターン部のみ露光する工程(工程104)と、露光されたパターンの潜像を露光装置が備える光学顕微鏡及び原子間力顕微鏡により計測する工程(工程105)と、計測値又はその誘導値と、所定値とを比較し(工程107)、所定値以内ならばそのまま露光し(工程108)、所定値外ならば予め定められた補正処理により露光条件の補正を行った(工程107)後、本露光する工程(工程108)とを含む。

請求項（抜粋）：

表面像形成技術によってマスク上の回路パターンを半導体基板に転写する露光方法において、前記半導体基板と前記マスクとの位置合わせを行った後、前記マスク上に形成された検査パターン部のみ露光する工程と、前記露光された検査パターン部の潜像を光学顕微鏡及び原子間力顕微鏡により計測する工程と、前記計測値又はその誘導値と、予め決められた所定値とを比較し、前記所定値内ならばそのまま露光し前記所定値外ならば予め定められた補正処理により露光条件の補正を行う工程と、本露光する工程とを含むことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (4件)：

H01L 21/30 514 E ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 X

Fターム (15件)：

5F046AA18 ,  5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CC01 ,  5F046DA02 ,  5F046DA13 ,  5F046EB01 ,  5F046EC05 ,  5F046FA03 ,  5F046FA17 ,  5F046FA20 ,  5F046FC05 ,  5F046MA11 ,  5F046MA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-094316   出願人：株式会社ニコン