特許

J-GLOBAL ID：200903089886788513

X線マスクの製造方法

発明者： 中石 雅文 ,  近藤 和昭 ,  山部 正樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132244
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349716
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 X線露光用マスク製造方法に関し、応力低減のためにイオン注入したX線吸収体膜の変質を防いで良好なマスクパターンを得ることを目的とする。【構成】 基板1上にX線透過膜2とX線吸収体膜3を順次形成した後、X線吸収体膜3の表層にアルゴンのイオン6を注入してX線吸収体膜3の内部応力を制御し、引続き、このX線吸収体膜3を大気に曝すことなくX線吸収体膜3上にX線吸収体膜3と同一材料の被膜4Aを形成する。その後、被膜4AとX線吸収体膜3とを同時に選択的にエッチングしてマスクパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

基板(1) 上にX線透過膜(2) を形成する工程と、該X線透過膜(2) 上にX線吸収体膜(3) を形成する工程と、該X線吸収体膜(3) 上に酸化珪素若しくは窒化珪素からなる被膜(4) を形成する工程と、該被膜(4) を介して該X線吸収体膜(3) に不活性ガスのイオン(6) を注入して該X線吸収体膜(3) の内部応力を制御する工程と、その後、該X線吸収体膜(3) を選択的にエッチングしてマスクパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16