特許
J-GLOBAL ID：200903089889644598
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-265694
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120215
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】電解メッキ法を用いて金属配線を形成する半導体装置の製造方法において、メッキ膜厚の制御性の向上及び配線形成領域の深さの違いによるメッキ膜厚差を軽減する製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に配線領域を隔てる第2の絶縁膜8上に第3、第4の金属膜9、10を設ける。これにより、メッキ膜が第3の金属膜に接触するまでに達した時、メッキ電極となる金属の面積が広がり、メッキレートが低下する。従って、平均メッキレートを低下させずに膜厚の制御性を向上できる。また、深い開孔部ほど前記メッキレート低下までの時間が長くなるため、開孔部の深さの違いによって生ずるメッキの膜厚差を軽減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1絶縁膜に選択的に第1の開孔を形成する工程と、前記第1絶縁膜上及び第1の開孔内に第1、第2の金属膜を重ねて形成する工程と、該第2金属膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、該第2絶縁膜上に第3、第4の金属膜を重ねて形成する工程と、前記第3、第4金属膜及び第2絶縁膜に選択的に第2の開孔を設ける工程と、前記第2の開孔により露出した前記第2の金属膜上に選択的に金属配線を形成する工程と、前記第3、第4の金属膜と第2の絶縁膜と金属配線領域を除く部分の第1、第2の金属膜とを前記金属配線に整合して選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/288
